반도체소자
[반도체소자] 3. Channel Length Modulation (CLM)
Semi컨덕터
2023. 5. 9. 14:34
Channel Length Modulation
채널 길이 변조 효과(Channel Length Modulation Effect)는 MOSFET의 Saturation 동작 영역에서 VDS 증가 시 Channel의 Pinch-off 지점이 Source로 이동하여 Channel length가 감소하는 현상
→ Channel resistance 감소 : Id 증가
♭ MOSFET의 Saturation 동작 영역에서 VDS(VDS≥VGS - VTH)가 증가하는 경우
예시) VDS = VGS - VTH + 0.1
Drain/Channel 계면에서의 수직 전압 성분(노란색 하이라이트 부분): VGS - VDS (VDS = VGS - VTH + 0.1 대입)
→ VGS - VGS + VTH - 0.1 = VTH - 0.1 < VTH : Strong inversion X (Pinch-off 발생)
→Channel length 감소 → Id 증가
Output curve(VDS - Id curve)에서 VDS 증가에 따라 Saturation 영역에서 Id가 일정하지 않고 점차적으로 증가
♭ Saturation 영역에서 Id의 기울기 : λ
→ λ는 CLM을 나타내는 SPICE parameter
<출처>
Donald A. Neaman, "Semiconductor physics and device" 4th edition.
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