Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | ||||||
2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
Tags
- 반도체 8대공정
- SK하이닉스
- 부피결함
- finFET
- RCAT
- 반도체소자
- 반도체공학
- She
- doping
- oxidation
- 양자역학
- Short Channel Effect
- 선결함
- Silicon on Insulator
- DRAM
- high bandwidth memory
- MOSFET
- HBM
- 반도체공정
- GIDL
- Dynamic Random Access Memory
- effective mass
- feol
- Threshold Voltage
- Punch through
- SOI MOSFET
- Energy Band
- mechanism
- ion implantation
- Warpage
Archives
- Today
- Total
목록건식 산화 (1)
반도체 공부 기록
[반도체공정(FEOL)] Oxidation #02 - Oxidation variable
Oxidation 산화 공정(산화 속도)에 영향을 미치는 변수들에 대해 알아보도록 하겠습니다. ♭ 산화 방식 산화제의 종류에 따라 건식 산화(Dry oxidation)과 습식 산화(Wet oxidation)으로 분류할 수 있다. 1. 건식 산화 산화제를 O2 가스를 사용하는 산화 방식이다. 반응식) Si + O2 → SiO2 2. 습식 산화 산화제를 H2O 가스를 사용하는 산화 방식이다. 반응식) Si + 2H2O → SiO2 + 2H2 두 방식은 산화 속도에 차이가 있다. 1) 산화막의 단위 부피(2.3 × 1022 SiO2 mol/cm3)당 포획되는(Trapped) 산화제 분자 수 차이 Dry : N = 2.3 x 1022 O2 mole/cm3 & Wet : N = 2 x 2.3 x 1022 H2O ..
반도체 전공정(FEOL)
2024. 5. 29. 22:01