반도체 공부 기록

HBM 지난해 AI의 발전이 가속화되면서 데이터 처리를 위한 차세대 솔루션으로 HBM이 주목받고 있습니다. HBM은 DRAM die를 여러 층으로 적층하고 TSV 기술을 통해 연결하는 차세대 메모리 솔루션으로 빅데이터를 처리하기 위해 필수적입니다. 하지만 HBM의 어려운 생산 난이도는 높은 단가로 직결되는 한계가 있습니다. 이에 따라 HBM을 대체할 수 있는 CXL(Compute eXpress Link), PIM(Process In Memory) 등의 다른 솔루션들도 주목받고 있습니다. 이번 포스팅에서는 CXL과 PIM에 대해 알아보도록 하겠습니다. ♭HBM (Hign Bandwidth Memory)HBM은 대용량 데이터를 처리하기 위해 DRAM을 여러 단으로 적층하고 TSV(Through Silicon..

HBMHBM 발전에 따라 DRAM의 적층 수는 증가하고, DRAM die 사이의 간격을 줄어들고 있습니다. 이에 따라 기존 공정 방법에서는 다양한 문제들이 생기고 있습니다.#01. Advanced MR-MUFSK하이닉스가 채택하고 있는 HBM의 Bonding 방식은 DRAM 적층 수가 증가함에 따라 “휨(Warpage)” 문제가 발생합니다. (모든 DRAM die를 가접합 시킨 후 Reflow 공정을 통해 한 번에 접합시킬 때, 열팽창계수 차이에 의해 휨 문제가 발생합니다.)SK하이닉스는 휨(Warpage) 문제를 해결하기 위해 독자적으로 Advanced MR-MUF 공정을 개발하여 HBM 생산을 진행하고 있습니다. Advanced MR-MUF는 기존 공정에서 발생하는 휨(Warpage)를 개선하기 위해..

HBM 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 HBM의 성능과 직결되는 DRAM의 적층 단수를 높이려고 하고 있습니다. HBM은 2세대(HBM~HBM2)까지 4개 층의 DRAM을, 3세대(HBM2E)에서 8개층을, 4세대(HBM3)부터 12개 층을 적층해왔으며 HBM 개발에 따라 16, 20, 24…단으로 점차 늘어날 것입니다. 적층되는 DRAM 단수가 높아질수록 중요해지는 것은 DRAM die 사이를 연결하는 Bonding 기술이다. 이번 포스팅에서는 HBM 주요 생산 기업들에서 채택하고 있는 Bonding 기술에 대해 알아보도록 하겠습니다. 1. TC-NCF → 삼성전자, 마이크론 채택 방식 TC-NCF는 다리미처럼 열과 압력을 가해 DRAM die를 한장씩 붙이는 방식입니다. TC-NCF는 Thermo..

HBM(High Bandwidth Memory) 지난 2022년부터 ChapGPT를 비롯하여 다양한 AI 모델들이 출시되고 있습니다. AI 모델은 대용량 데이터의 연산을 담당하는 CPU/GPU와 같은 처리 장치와 CPU/GPU와 연결되어 빠른 데이터 전송을 담당하는 메모리가 필요합니다. HBM은 기존 메모리에 비해 데이터 입출력 단자 수도 많고, 메모리 사이의 간격도 좁아 데이터 전송에 유리하여 AI 모델 개발에 필수적인 요소 중 하나입니다. - HBM (High Bandwidth Memory) 이란? HBM은 High Bandwidth Memory의 약자로 넓은 대역폭을 갖는 메모리를 의미합니다. HBM은 여러 개의 DRAM을 수직으로 적층한 형태로 메모리 사이의 간격이 짧아지고 단위 면적당 용량이 크..