반도체 공부 기록

NANDNAND는 2개의 Gate 중 Control gate의 전압을 통해 Floating gate의 전하량을 조절하여 Threshold voltage의 차이로 데이터를 구분하는 비휘발성 메모리이다. DRAM과 다르게 Charge의 유무에 의해 데이터를 읽는 것이 아니기 때문에 외부의 전원이 사라져도 정보가 저장된다. (Floating gate 또는 Charge trap layer의 전하 유무에 따른 Threshold voltage 변화를 통해 데이터를 구분한다.) ♭ Data 저장 장소, 저장하는 물리량 Floating gate에 전하(전자)의 존재 여부에 따라 Threshold voltage 변화로 Data(0/1)을 구분합니다. ♭ Write 방식 (Single cell 기준) Control gat..

DRAM(Dynamic Random Access Memory) DRAM은 1개의 Selected Transistor와 1개의 Capacitor(1T1C)를 가지는 메모리 소자로 RAM(Random Access Memory)의 한 종류입니다. DRAM은 1T1C의 구조로 정보(Data)를 Capacitor에 저장을 하고 Transistor의 스위치 동작에 따라 정보를 쓰고(Write), 읽습니다(Read). 메모리는 정보에 접근하는 방식이 Sequential access와 Random access 2가지 방식이 있습니다. 먼저 Sequential access은 과거의 카세트 테이프에 사용되었고, Random access는 현재 스마트폰, PC 등에 사용되고 있습니다. 두 방식 차이에 대해서 알아보도록 하겠..

MOSFET 동작원리 (1) MOSFET의 동작원리는 수도꼭지의 원리와 매우 유사합니다. MOSFET은 Gate 전압의 조절로 On/Off를 결정하는 Transistor입니다. → 수도꼭지는 레버를 조절로 물의 흐름을 결정하는 장치입니다. ♭ MOSFET Drain = 펌프 → 물을 공급해주는 역할 ♭ MOSFET Gate = 레버 → 물의 On/Off를 결정하는 역할 ♭ Drain current = 물 1. Cut-off mode (조건: VDS = 0V) MOSFET에서 전류가 흐르지 않은 동작 영역 ♭ NMOSFET 기준으로 VGS>VTH가 인가되어 N-channel이 형성되지만 VDS=0 이므로 Id=0 → 펌프가 작동되지 않은 경우: 레버를 열어도 물이 나오지 않는다! (파란색 점 보이시죠?) ..