반도체 공부 기록

Doping반도체 소자 미세화에 따라 피치 사이즈는 점차 작아졌습니다. 반도체의 전기적 특성을 결정하는 Doping 공정 중 하나인 Diffusion은 고온의 열이 필요합니다. 소자가 작아짐에 따라 수평 방향으로의 확산으로 전기적 특성을 정확하게 구분하기 어려워졌습니다. 또, Short channel effect를 막고자 국부적으로 높은 농도의 Dopant가 요구되는 영역이 필요해졌습니다. (Punch through를 막기 위한 Halo doping 또는 Retrograde doping) 반대로 낮은 농도가 요구되는 경우 Diffusion 공정을 이용하면 Dopant delivery와 Uniformity의 문제가 있습니다. Diffusion 공정은 고용도(Solid solubility)의 한계로 임계 농..

가장 기억에 남는 경험? 1. 전 여자친구 만난 경험The most memorable experience I have ever had was meeting ex-girlfreind by chance.One day, I was traveling/jogging/(went) camping with my current girlfreind.Suddenly, we ran into my ex-girlfriend.I was embrassed absolutely.Anyway, she and I pretended not to notice each other.It is because we had to keep from being caught by our new partners.If the new one found out a..

HBF (High Bandwidth Flash) HBM(High bandwith memory)를 TSV(Through Silicon Via) 전극 기술을 활용하여 DRAM을 적층하여 고대역폭 메모리입니다. TSV를 활요한 수직 전극 방식을 통해 전기 신호 경로를 단축하여 고속 데이터 전송이 가능합니다. 고성능 메모리 요구되는 시장 배경에 따라 최초 HBM에서 지속 발전하고 있습니다. #HBM 주요 특징① DRAM 적층 : 여러 개의 DRAM Die를 수직 방향으로 적층② 3D TSV : 실리콘 웨이퍼(DRAM Die)를 관통하여 적층된 여러 개의 DRAM Die 사이의 전기 신호 전달③ 인터포져(Interposer) : 메모리(DRAM 적층) - 프로세서(GPU) 연결, PKG substrate ..

IGZO 1. IGZO 구성요소IGZO 산화물 반도체의 각 구성 요소에 대해서 알아보도록 하겠습니다. (1) ZnO - 화합물 구조 형성IGZO에서의 ZnO 결정에 In2O3, Ga2O3가 첨가된 산화물 반도체 형태입니다. In, Ga의 조성(농도)를 조절하여 TFT 소자에서 요구하는 특성을 갖는 Channel을 IGZO로 통상적으로 적용되고 있습니다. (2) In2O3 - 5s 오비탈 중첩에 의한 Mobility 향상In은 원자 번호가 49번으로 5s 오비탈을 가지고 있습니다. s 오비탈은 구형의 모양으로 등방성을 갖고 있어, 원자배열에 관계없이 인접 원자의 s 오비탈과 중첩이 발생합니다. In의 5s 오비탈이 인접 In 원자의 5s 오비탈과 중첩이 발생하여 비정질 IGZO에서 자유 전자가 이동할 ..

IGZO 1. 산화물 반도체산화물은 대부분 절연체로 전류가 잘 흐르지 않는 것이 일반적입니다. 산화물의 Bandgap(Conduction band (이하 C.B.) - Valence band(이하 V.B))이 크기 때문에 V.B. → C.B.으로의 Band-to-Band trasition이 잘 일어나지 않기 때문입니다. 이와 달리 반도체는 적당한 크기의 Bandgap(Si : 1.1eV)를 갖고 있어, 외부에서 에너지(전압)를 가해주면 전류가 흐르는 특성을 갖습니다. 일부 산화물(금속 산화물: Metal-oxide)이 반도체 특성을 갖을 수 있는 것은 바로 산소 공공(Oxygen vacancy) 때문입니다. 산소 공공은 모종의 이유로 산화물 내 산소가 있어야 할 자리에 산소 원자가 없는 것을 의미합니..

표면 분석표면 조도(Surface roughness)는 표면의 거친 정도를 나타낸 것으로, 시료 표면에 존재하는 이물질, 결정체, 굴곡 등으로 표면이 거칠어지는 정도를 나타낸다. 표면 조도를 측정할 수 있는 장비는 AFM(Atomic force microscopy), STM(Scanning tunneling microscopy) 등이 있다. 표면 조도를 측정할 때, 획득할 수 있는 데이터의 의미는 다음과 같습니다. 1. Ra (산술 평균 거칠기, Arithmetic Average Roughness)가장 일반적으로 사용하는 표면 거칠기 지표로 기준선(평균선)을 기준으로 표면의 높낮이 차이들의 절댓값 평균을 의미→ 높고 낮은 돌기들을 다 절댓값으로 바꿔 평균을 낸 값으로 극단적인 Peak나 Valley에..

학점 관련 질문성적이 높거나 낮은 분들께서 면접을 준비하면서 한 번쯤 고민해본 면접 질문과 답변을 준비해보았습니다.Q. 성적이 왜이리 낮은가요?→ 학업에 소홀히한 다른 이유가 있었는지? (+성적이 낮음을 인정하고 후회한다는 태도 필요) A. 방향성 : 학점을 관리하지 못한 솔직한 이유 + 개선 내용 (수치적으로)학점 관리를 소홀히한 부분에 대해서는 후회하고 있습니다. 학부 1학년 때 학생회 활동에 집중하여 학점 관리에 소홀했었습니다. 하지만 전공을 본격적으로 배우는 2학년 때부터 그룹 스터디, 멘토링 활동을 하며 학업에 집중했습니다. 그 결과, 최종 학점은 X.XX으로 마무리할 수 있었으며 4학년 1학기에는 성적장학금도 수혜할 수 있었습니다. 앞으로는 중요한 것들을 먼저 챙겨 같은 후회를 하지 않도록..

직무 : Process engineer 1. 자기소개안녕하십니까. 예비 신입사원 XXX입니다. 프로세스 엔지니어 직무 수행에서 발휘할 수 있는 역량 2가지를 말씀드리도록 하겠습니다.첫째로는 Sputter 공정 개선 경험입니다. 학부연구생 시절 전기 변색 소자에 적용할 WO3, Nb2O5를 Sputter를 통해 증착했습니다. RF 플라즈마를 장시간 사용하는 경우 플라즈마가 불안정해지는 문제가 발생하였고, Sputter 파워를 20W 상승시켜 공정 시간을 단축하여 문제를 해결한 경험이 있습니다.두번째로는 반도체에 대한 이해도입니다. 신소재공학도로 부족한 반도체 지식을 습득하기 위해 전자공학과의 반도체장비, 공학, 소자 강의를 들으며 반도체에 대한 이해를 넓혔습니다. 이를 통해 고객 제품 특성을 이해하고 고객..

잡다 AI 역량검사최근 많은 기업에서 채택하고 있는 잡다 AI 역량검사 기본 질문 리스트에 대해 준비해보았습니다. 기업에 따라서 실제 면접에서 나오는 문제는 아래 질문 리스트와 상이할 수 있습니다. 1. 자기소개 (90초)안녕하십니까. 예비 신입사원 XXX 입니다. 공정 기술 직무에 발휘할 수 있는 역량 두 가지를 말씀드리겠습니다.첫째는 Sputter 공정 개선 경험입니다. 전기 변색 소자에 적용할 WO3/Nb2O5를 Sputter로 증착했고, 이 과정에서 플라즈마를 장시간 사용 시 불안정해지는 문제를 해결했습니다. 공정 시간을 단축시키기 위해 Sputter 파워를 60W에서 80W로 증가시켜 플라즈마를 안정화하였습니다.두번째로는 반도체 장비/소자에 대한 이해도입니다. 신소재공학도로 재료의 물성뿐 만 아..

HBM 지난해 AI의 발전이 가속화되면서 데이터 처리를 위한 차세대 솔루션으로 HBM이 주목받고 있습니다. HBM은 DRAM die를 여러 층으로 적층하고 TSV 기술을 통해 연결하는 차세대 메모리 솔루션으로 빅데이터를 처리하기 위해 필수적입니다. 하지만 HBM의 어려운 생산 난이도는 높은 단가로 직결되는 한계가 있습니다. 이에 따라 HBM을 대체할 수 있는 CXL(Compute eXpress Link), PIM(Process In Memory) 등의 다른 솔루션들도 주목받고 있습니다. 이번 포스팅에서는 CXL과 PIM에 대해 알아보도록 하겠습니다. ♭HBM (Hign Bandwidth Memory)HBM은 대용량 데이터를 처리하기 위해 DRAM을 여러 단으로 적층하고 TSV(Through Silicon..