반도체 공부 기록

Introduction to Quantum mechanism 참고사항: $ \overline{h}$는 디렉 상수 ħ를 의미합니다. ♭ Step potential function 1) 포텐셜 에너지 Ep 정의 영역Ⅰ( x ＜ 0 ) 영역 Ⅱ ( x ≥ 0 ) Ep1 = 0 Ep2 = V0 2) 전파 상수 k 정의 $$k_{1} = \sqrt{\frac{2m(E-0)}{\overline{h}^2}}=\sqrt{\frac{2mE}{\overline{h}^2}}$$ $$k_{2} = \sqrt{\frac{2m(E-V_{0})}{\overline{h}^2}}$$ 3) 파동 함수 ψ(x) 정의 $$\psi_{1}(x) = Ae^{+jk_{1}x}+Be^{-jk_{1}x}$$ $$ \psi_{2}(x) = Ce^{+..

Introduction to Quantum mechanism 참고사항: $\overline{h}$은 디렉 상수 ħ를 의미합니다. ♭ Electron in Free space Free eletron : Electron potential energy = 0 → Ep = 0 $$ \therefore \frac{\partial^2 \psi (x)}{\partial x^2} + \frac{2mE}{\overline{h}}\psi (x) =0 $$ $\psi (x) = Ae^{+jkx}+Be^{-jkx}$ ($Ae^{+jkx}$ : +x 방향으로 전자 이동, $Be^{-jkx}$ : -x 방향으로 전자 이동) Assumption) 전자가 +x 방향으로 이동 $$\Psi (x,t) = \psi(x)\phi(t) = ..

Introduction to Quantum mechanism 참고사항: $\overline{h}$은 디렉 상수 ħ를 의미합니다. ♭ 슈뢰딩거 파동 방정식(Schrodinger's wave equation) -에너지 보존 법칙 $$ E(Total \, energy) = E_{p}\,(Potential \, energy) + E_{k}(Kinetic \, energy) $$ → 반도체 소자에 전압을 인가하면 전자의 흐름(전류)이 발생하는데, 이때 전자가 격자를 지나갈 때 파동으로 해석하는 것이 용이하다: 슈뢰딩거 파동 방정식 1) Hamiltonian operator $$ E \equiv -\frac{\overline{h}}{j}\frac{\partial }{\partial t} \; P \equiv \fr..

Introduction to Quantum mechanism 반도체 소자는 전압 인가에 따라 전류가 흐르는데, 반도체의 특성을 평가하기 위해 I-V(Current-Voltage) 특성 평가는 필수적이다. I-V 특성은 전압에 따른 전류의 변화를 나타내는데, 전류의 변화는 곧 전자의 이동이다. 전자의 크기는 매우 작아 미시적으로 해석이 필요하고, 해석을 위해서는 양자역학이 필요하다. ♭ 아인슈타인의 광전 효과(Photoelectric effect) Monochromatic light을 금속 표면에 조사했을 때 금속 표면에서 광전자(Photoelectron)이 방출되는 현상 빛의 진동수(Frequency)가 임계 진동수(υ0; 금속의 일함수)보다 낮으면 빛의 강도(Intensity) 아무리 강해도 광전자가 ..

The crystal structure of solids ♭ 격자 결함(Defect) 1) 점결함(Point defect) 고체 재료 내부의 점 단위 결함 -공공(Vacancy) 고체 결정 구조 내의 원자가 위치해야 하는 자리에 원자가 존재하지 않아 빈자리(Vacancy)를 만드는 결함: 절대 온도 0K 이상에서 모든 재료 내부에 존재(열역학적으로 공공이 존재하는 것이 안정한 상태) → 압축 응력(Compressive stress) = 격자 수축(Lattice shinkage) -침입형 불순물(Interstitial impurity) 고체 결정 구조 사이의 침입형 자리(Interstitial sitr)에 원자가 차지하는 결함 → 인장 응력(Tensile stress) = 격자 팽창(Lattice expa..

The Crystal Structure of Solids ♭ 반도체(Semiconductor)란? 반도체는 전기 전도도가 도체와 반도체의 중간 정도의 해당하는 물질 1) 도체와 부도체와 다르게 전기 전도도가 고정되어 있지 않다. → 인가 전압, 열, 파장에 의해 전기적 특성이 변한다. (저온: 부도체, 고온: 도체) 2) 반도체는 14족 원소(Si, Ge) 또는 13족-15족(GaAs)/2족-16족(ZnO) 원소로 구성 → Elemental semicondutor: 단일 원소로 이루어진 반도체 Compound semiconductor: 두 가지 이상의 원소로 이루어진 반도체 3) 반도체(소자)는 전류의 흐름을 조절할 수 있다. → 도핑 농도를 통해 반도체의 전기 전도도를 조절할 수 있다. 반도체는 도체/..

직무: 반도체소자 개발연구원Q. 자기소개A. 안녕하십니까. 예비 신입 사원 OOO입니다. 적외선 검출 소자 연구원은 소자 발전을 위한 공정 개발 업무를 수행하는데, 이 업무를 수행하기 위해 준비한 두 가지를 말씀드리겠습니다.첫번째로는 Sputter 단위 공정 경험입니다. 전기 변색 소자에 적용할 WO3, Nb2O5 박막을 Sputter로 증착하였고, 파워/가스유량/가스분압을 조절하여 소자의 안정성을 개선한 결과 SCI 논문을 1저자로 게재하였습니다. 유효한 소자 성능을 위해서는 300nm 두께의 WO3 박막이 필요했고 공정 시간이 약 2시간 이상 요구되었습니다. 장비 노후화로 인해 RF power를 장시간 사용하는 경우 플라즈마가 불안정해지는 문제가 생겼고, Sputter 파워를 20W 증가시켜 공정 시..

-인성Q. 자기/가족 소개 A. 안녕하십니까. PSK 공정 평가 관리 직무에 인턴으로 지원한 XXX입니다. 저는 학부연구생 기간동안 다양한 분석 요령을 습득하고, Sputter 장비 운용을 한 경험이 있습니다. 우선, Sputter 운용 경험을 통해서 진공이 필요한 반도체 장비 운용 메뉴얼을 빠르게 습득하여 공정 평가 관리 직무에 기여하도록 하겠습니다. 또, 인턴 근무 후 정규직으로 전환된다면 다양한 분석 요령을 통해 공정 계측에도 기여하도록 노력하겠습니다. A. 저희 가족은 저를 포함하여 부모님과 여동생 한 명이 있습니다. 저희 가족 분위기는 개인의 선택을 매우 존중해줍니다. 가장 기억에 남는 에피소드로는 저희 동생이 고등학교 때 음주, 흡연을 부모님에게 들키게 되었는데 부모님께서는 놀이터나 길가에서 ..

직무: BumpingQ. 자기소개 A. 안녕하십니까. 예비 신입 사원 OOO 입니다. Bumping 직무에서 발휘할 수 있는 강점을 말씀드리도록 하겠습니다.첫째로는 Sputter 공정 개선 경험입니다. 학부연구생 시절 전기 변색 소자의 변색층에 적용할 WO3 증착 과정에서 Sputter power를 20W 증가시켜 공정 시간을 20분 단축시켰습니다. Sputter 공정 경험은 Under bump metallization 증착 공정에 기여할 수 있다고 자신합니다.두번째로는 Photolithography 공정 개선 경험입니다. 캡스톤디자인에서 Photodetector 설계 과정에서 QD 패터닝을 위한 공정을 개선한 경험이 있습니다. AZ GXR 601 PR을 사용하여 QD 효율에 문제가 생기는 것을 개선하기..

NANDFlash memory 성능은 같은 면적 대비 큰 용량을 저장할 수 있을 수록 좋습니다. NOR Flash 특징 1. 바이트나 워드 단위로 읽기/쓰기가 가능하고 덮어쓰기와 지우기는 임의로 접근할 수 없다. 2. 읽기 속도는 Access 속도가 빠르나, 쓰기/지우기 속도는 느리다. NAND Flash 특징 1. 페이지 단위로 읽기/쓰기가 가능하고 해당 페이지를 지우거나 덮어쓰기를 하려면 모든 블럭을 지워야 한다. 2. 크기가 작고 단가가 저렴하고, 대용량 저장이 가능하다. 3. NOR Flash와 반대로 데이터를 읽을 때 Access 속도가 느리지만, 쓰기/지우기 속도는 빠르다. ♭ Multi-cell NAND SLS(Single Level Cell) MUL(Multi Level Cell) 메모리 ..