반도체 공부 기록

Oxidation♭ 불순물 재분포산화막 성장에서 불순물의 분포는 분리 상수(Migration coefficient; m)에 의해 결정된다.$$ Migration \ coefficient(m) =\frac{Impurity \ concentration \ in \ Si}{Impurity \ concentration \ in \ SiO_{2}} $$하지만, 확산계수 D(SiO2) >> D(Si)이면 분리상수와 관계없이 실리콘에서 불순물이 사라진다. (Ex: Ga)1) 분리상수, 2) 확산계수, 3) 경계면의 상대적 이동속도(산화속도 VS. 확산속도)에 의해 불순물이 재분포된다.분리 상수 분리 상수 > 1 (Ex: P)(빨간색 - 고온, 검정색 - 기준, 파란색-저온) 1. 분리 상수 2를 선호→ 산화 속도가..

Oxidation산화 공정(산화 속도)에 영향을 미치는 변수들에 대해 알아보도록 하겠습니다. ♭ 산화 방식산화제의 종류에 따라 건식 산화(Dry oxidation)과 습식 산화(Wet oxidation)으로 분류할 수 있다.1. 건식 산화산화제를 O2 가스를 사용하는 산화 방식이다. 반응식) Si + O2 → SiO22. 습식 산화산화제를 H2O 가스를 사용하는 산화 방식이다. 반응식) Si + 2H2O → SiO2 + 2H2 두 방식은 산화 속도에 차이가 있다.1) 산화막의 단위 부피(2.3 × 1022 SiO2 mol/cm3)당 포획되는(Trapped) 산화제 분자 수 차이Dry : N = 2.3 x 1022 O2 mole/cm3 & Wet : N = 2 x 2.3 x 1022 H2O mole/cm3..

Oxidation반도체 소자에서 다양한 역할을 맡고 있는 SiO2에 대해서 알아보도록 하겠습니다. ♭ SiO2SiO2는 실리콘(Si)을 중심으로 사면체(Tetrahedron) 꼭짓점에 산소(O)가 인접하고 있는 3차원 망상 구조를 가지고 있다. 우수한 절연 특성(비저항: 1020 Ω cm 이상, Eg: 8~9eV, Breakdown: 10MV/cm 이상)을 가지고 있어 반도체 소자에서 절연막(Isolation)에 사용된다. 또, 반도체 소자에 주로 사용되는 실리콘 웨이퍼에서 산소 소스만 공급하면 안정한 SiO2를 형성할 수 있어(Si-SiO2 계면 특성 우수) MOSFET의 Gate oxide로도 활용한다. (유전율: 약 3.9)그 밖에도 반도체 기판에 국부적으로 도핑하기 위해 원하지 않은 부위에 Dop..