목록Punch through (3)

반도체 공부 기록

[반도체소자] 15. FinFET (2)

FinFET SCE를 개선하기 위해 Channel을 3면을 통해 제어하는 FinFET이 개발되었습니다. 하지만 FinFET에서 여전히 구조적/공정적인 이슈 때문에 문제가 남아있습니다. 이번 포스팅에서는 FinFET에서 발생하는 이슈에 대해서 알아보도록 하겠습니다. ♭ Corner effect FinFET의 Fin 모서리(Corner) 부분에 전기장이 집중되어 Threshold voltage 이하의 전압 영역에서 국부적으로 Turn-on이 발생하는 현상입니다. Corner effcet에 의한 국부적인 Turn-on은 Transfer curve에서 hump으로 나타납니다. Corner effect가 발생하는 경우 hump에 의한 영향으로 SS이 증가합니다. Corner effect를 해결하기 위해서 Fin ..
반도체소자 2023. 7. 13. 11:19
[반도체 소자] 11. SOI MOSFET (1)

SOI(Silicon on insulator) MOSFET 소자 미세화에 따라서 발생하는 Gate 방향으로 Tunneling 이나 SHE(Short channel effect)에 대한 한계가 생깁니다. 이에 따라서 소자 미세화에 따른 새로운 패러다임이 등장하게 됩니다. 미세화에 따라서 소자의 performance를 유지하기 위해서 기판에 절연층(Insulator)를 삽입하는 SOI MOSFET, 3차원 형태의 Gate 구조를 가지는 FinFET(이후 GAAFET)이 개발되었습니다. 이번 포스팅에서는 SOI MOSFET에 대한 특성을 알아보도록 하겠습니다. SOI MOSFET은 Bulk Si MOSFET과 다르게 기판 영역에 두꺼운 산화막(BOX; buried oxide)가 존재합니다. SOI MOSFET..
반도체소자 2023. 7. 4. 16:19
[반도체소자] 6. Punch through

Punch through Punch through는 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering)과 마찬가지로 Short Channel Effect(SHE)의 대표적인 예시입니다. Punch through는 Sourc와 Drain에서의 Depletion layer가 서로 만나게 되어 Channel이 아닌 기판(Substrate) 영역에서 전류(Leakage current)가 발생하는 현상입니다. 그림과 같이 VDS를 인가해주면 Drain의 Depletion layer의 두께가 증가하여 Source의 Depletion layer와 맞닿게 됩니다. 이에 따라 Carrier가 Depletion layer를 통해 이동하여 전류(Leakage current)를 발생시킵니다. ♭ Long cha..
반도체소자 2023. 6. 23. 10:25
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