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목록doping (2)
반도체 공부 기록
[반도체공정(FEOL)] Doping #02 - Ion implantation(IMP)
Doping반도체 소자 미세화에 따라 피치 사이즈는 점차 작아졌습니다. 반도체의 전기적 특성을 결정하는 Doping 공정 중 하나인 Diffusion은 고온의 열이 필요합니다. 소자가 작아짐에 따라 수평 방향으로의 확산으로 전기적 특성을 정확하게 구분하기 어려워졌습니다. 또, Short channel effect를 막고자 국부적으로 높은 농도의 Dopant가 요구되는 영역이 필요해졌습니다. (Punch through를 막기 위한 Halo doping 또는 Retrograde doping) 반대로 낮은 농도가 요구되는 경우 Diffusion 공정을 이용하면 Dopant delivery와 Uniformity의 문제가 있습니다. Diffusion 공정은 고용도(Solid solubility)의 한계로 임계 농..
[반도체공정(FEOL)] Doping #01 - Diffusion
Doping반도체는 불순물 여부에 따라 진성 반도체(Intrinsic semiconductor)와 외인성(Extrinsic semiconductor)로 구분할 수 있다. 이론적으로, 진성 반도체는 결정 내부의 불순물이 존재하지 않은 것을 의미하는데 실제로는(In real) 반도체 내부에 불순물을 완벽하게(Perfectly) 제거하는 것은 불가능하다. 하지만 일반적인 반도체 소자는 불순물을 주입하여 제작하는데, 이번 포스팅부터 불순물을 주입하는 방법에 대해서 알아보도록 하겠습니다. (반도체는 불순물을 주입하여 전기적 특성(전기전도도, Fermi level)을 조절할 수 있기 때문에 일반적으로 외인성 반도체를 사용하여 Device를 제작한다.) Q. Dopant과 Impurity의 차이? A. Doping과..