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반도체 공부 기록

[반도체공정(FEOL)] Oxidation #02 - Oxidation variable

Oxidation 산화 공정(산화 속도)에 영향을 미치는 변수들에 대해 알아보도록 하겠습니다. ♭ 산화 방식 산화제의 종류에 따라 건식 산화(Dry oxidation)과 습식 산화(Wet oxidation)으로 분류할 수 있다. 1. 건식 산화 산화제를 O2 가스를 사용하는 산화 방식이다. 반응식) Si + O2 → SiO2 2. 습식 산화 산화제를 H2O 가스를 사용하는 산화 방식이다. 반응식) Si + 2H2O → SiO2 + 2H2 두 방식은 산화 속도에 차이가 있다. 1) 산화막의 단위 부피(2.3 × 1022 SiO2 mol/cm3)당 포획되는(Trapped) 산화제 분자 수 차이 Dry : N = 2.3 x 1022 O2 mole/cm3 & Wet : N = 2 x 2.3 x 1022 H2O ..
반도체 전공정(FEOL) 2024. 5. 29. 22:01
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