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Doping반도체 소자 미세화에 따라 피치 사이즈는 점차 작아졌습니다. 반도체의 전기적 특성을 결정하는 Doping 공정 중 하나인 Diffusion은 고온의 열이 필요합니다. 소자가 작아짐에 따라 수평 방향으로의 확산으로 전기적 특성을 정확하게 구분하기 어려워졌습니다. 또, Short channel effect를 막고자 국부적으로 높은 농도의 Dopant가 요구되는 영역이 필요해졌습니다. (Punch through를 막기 위한 Halo doping 또는 Retrograde doping) 반대로 낮은 농도가 요구되는 경우 Diffusion 공정을 이용하면 Dopant delivery와 Uniformity의 문제가 있습니다. Diffusion 공정은 고용도(Solid solubility)의 한계로 임계 농..
반도체 전공정(FEOL)
2024. 8. 20. 14:39