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목록비휘발성메모리 (1)
반도체 공부 기록
[반도체소자] 21. NAND (1)
NANDNAND는 2개의 Gate 중 Control gate의 전압을 통해 Floating gate의 전하량을 조절하여 Threshold voltage의 차이로 데이터를 구분하는 비휘발성 메모리이다. DRAM과 다르게 Charge의 유무에 의해 데이터를 읽는 것이 아니기 때문에 외부의 전원이 사라져도 정보가 저장된다. (Floating gate 또는 Charge trap layer의 전하 유무에 따른 Threshold voltage 변화를 통해 데이터를 구분한다.) ♭ Data 저장 장소, 저장하는 물리량 Floating gate에 전하(전자)의 존재 여부에 따라 Threshold voltage 변화로 Data(0/1)을 구분합니다. ♭ Write 방식 (Single cell 기준) Control gat..
반도체소자
2024. 1. 23. 02:44