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목록산화막 특성 (1)
반도체 공부 기록
[반도체공정(FEOL)] Oxidation #03 - Application
Oxidation♭ 불순물 재분포 산화막 성장에서 불순물의 분포는 분리 상수(Migration coefficient; m)에 의해 결정된다. $$ Migration \ coefficient(m) =\frac{Impurity \ concentration \ in \ Si}{Impurity \ concentration \ in \ SiO_{2}} $$하지만, 확산계수 D(SiO2) >> D(Si)이면 분리상수와 관계없이 실리콘에서 불순물이 사라진다. (Ex: Ga)1) 분리상수, 2) 확산계수, 3) 경계면의 상대적 이동속도(산화속도 VS. 확산속도)에 의해 불순물이 재분포된다.분리 상수 1 (Ex: P)(빨간색 - 고온, 검정색 - 기준, 파란색-저온) 1. 분리 상수 <..
반도체 전공정(FEOL)
2024. 6. 3. 21:56