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목록채널 변조 현상 (1)
반도체 공부 기록
[반도체소자] 3. Channel Length Modulation (CLM)
Channel Length Modulation 채널 길이 변조 효과(Channel Length Modulation Effect)는 MOSFET의 Saturation 동작 영역에서 VDS 증가 시 Channel의 Pinch-off 지점이 Source로 이동하여 Channel length가 감소하는 현상 → Channel resistance 감소 : Id 증가 ♭ MOSFET의 Saturation 동작 영역에서 VDS(VDS≥VGS - VTH)가 증가하는 경우 예시) VDS = VGS - VTH + 0.1 Drain/Channel 계면에서의 수직 전압 성분(노란색 하이라이트 부분): VGS - VDS (VDS = VGS - VTH + 0.1 대입) → VGS - VGS + VTH - 0.1 = VTH - 0..
반도체소자
2023. 5. 9. 14:34