Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ||||||
| 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
| 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
Tags
- finFET
- ion implantation
- oxidation
- mechanism
- effective mass
- feol
- doping
- 반도체소자
- Threshold Voltage
- Dynamic Random Access Memory
- She
- HBM
- 반도체 8대공정
- 양자역학
- 반도체공학
- 반도체공정
- MOSFET
- DRAM
- RCAT
- 선결함
- Warpage
- Short Channel Effect
- SOI MOSFET
- Energy Band
- high bandwidth memory
- Silicon on Insulator
- SK하이닉스
- 부피결함
- GIDL
- Punch through
Archives
- Today
- Total
목록3D capacitor (1)
반도체 공부 기록
[반도체소자] 18. DRAM (3)
DRAM(Dynamic Random Access Memory) DRAM의 정보를 보존하기 위해서는 Refresh 동작이 반드시 필요하지만, Refresh 동작은 지속적으로 전력 소모를 초래합니다. 따라서 Refresh 특성을 개선하는 방안에 대해서 알아보도록 하겠습니다. 이전 포스팅에서도 간략하게 언급했지만, Leakage current를 제어하거나 Cell capacitance를 증가시켜 Refresh 특성을 개선할 수 있습니다. Leakage current를 개선하는 경우는 Cell capacitor에서 빠져나가는 전하의 수를 줄일 수 있고, Cell capacitance를 증가시키면 Cell에 저장할 수 있는 전하의 수가 늘어나 Refresh 특성을 개선할 수 있습니다. 전하가 똑같이 모종의 이유로..
반도체소자
2023. 7. 21. 14:50