Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ||||||
| 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
| 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
Tags
- 반도체공정
- 반도체 8대공정
- 양자역학
- MOSFET
- HBM
- 선결함
- GIDL
- Dynamic Random Access Memory
- feol
- Threshold Voltage
- oxidation
- 부피결함
- She
- 반도체소자
- effective mass
- 반도체공학
- Short Channel Effect
- SOI MOSFET
- DRAM
- SK하이닉스
- RCAT
- Energy Band
- high bandwidth memory
- Silicon on Insulator
- mechanism
- ion implantation
- doping
- Punch through
- Warpage
- finFET
Archives
- Today
- Total
목록CZ법 (1)
반도체 공부 기록
[반도체공학] 02. The crystal structure of solids (2)
The crystal structure of solids ♭ 격자 결함(Defect) 1) 점결함(Point defect) 고체 재료 내부의 점 단위 결함 -공공(Vacancy) 고체 결정 구조 내의 원자가 위치해야 하는 자리에 원자가 존재하지 않아 빈자리(Vacancy)를 만드는 결함: 절대 온도 0K 이상에서 모든 재료 내부에 존재(열역학적으로 공공이 존재하는 것이 안정한 상태) → 압축 응력(Compressive stress) = 격자 수축(Lattice shinkage) -침입형 불순물(Interstitial impurity) 고체 결정 구조 사이의 침입형 자리(Interstitial sitr)에 원자가 차지하는 결함 → 인장 응력(Tensile stress) = 격자 팽창(Lattice expa..
반도체공학
2024. 2. 19. 12:13