Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ||||||
| 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
| 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
Tags
- ion implantation
- GIDL
- SK하이닉스
- 반도체공학
- doping
- Energy Band
- Short Channel Effect
- Punch through
- RCAT
- Warpage
- She
- 반도체공정
- 반도체소자
- feol
- effective mass
- finFET
- 부피결함
- 반도체 8대공정
- DRAM
- MOSFET
- high bandwidth memory
- Threshold Voltage
- 선결함
- oxidation
- 양자역학
- SOI MOSFET
- HBM
- mechanism
- Dynamic Random Access Memory
- Silicon on Insulator
Archives
- Today
- Total
목록Channel length modulation (1)
반도체 공부 기록
[반도체소자] 3. Channel Length Modulation (CLM)
Channel Length Modulation 채널 길이 변조 효과(Channel Length Modulation Effect)는 MOSFET의 Saturation 동작 영역에서 VDS 증가 시 Channel의 Pinch-off 지점이 Source로 이동하여 Channel length가 감소하는 현상 → Channel resistance 감소 : Id 증가 ♭ MOSFET의 Saturation 동작 영역에서 VDS(VDS≥VGS - VTH)가 증가하는 경우 예시) VDS = VGS - VTH + 0.1 Drain/Channel 계면에서의 수직 전압 성분(노란색 하이라이트 부분): VGS - VDS (VDS = VGS - VTH + 0.1 대입) → VGS - VGS + VTH - 0.1 = VTH - 0..
반도체소자
2023. 5. 9. 14:34