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목록High-K Metal Gate (1)
반도체 공부 기록
[반도체소자] 10. Gate leakage current
Gate leakge current 반도체 소자는 Moore's law에 따라 소자의 크기가 작아지고, 집적도는 향상되었습니다. 소자 미세화에 따라 Channel length가 짧아져서 Short channel effect가 발생하여 소자의 performance를 감소시켰습니다. 이번 포스팅에서는 소자 미세화에 따라서 Capacitance의 증가가 요구되어 Gate oxide thickness의 감소에 따른 Issue를 알아보도록 하겠습니다. 1998년 ITRS의 로드맵에 따르면 Technology node가 100nm 이하로 진입하게 되는 경우 Gate oxide thickness가 1nm 이하로 요구되었습니다. 하지만 1nm 이하의 두께를 가지는 Gate oxide를 MOSFET에 적용하게 되는 경우..
반도체소자
2023. 6. 29. 14:31