Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ||||||
| 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
| 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
Tags
- high bandwidth memory
- oxidation
- 반도체공학
- finFET
- 양자역학
- GIDL
- Punch through
- SK하이닉스
- 반도체 8대공정
- ion implantation
- Silicon on Insulator
- She
- 부피결함
- Threshold Voltage
- MOSFET
- feol
- 반도체소자
- SOI MOSFET
- HBM
- Energy Band
- Dynamic Random Access Memory
- RCAT
- 면접준비
- Warpage
- 반도체공정
- DRAM
- effective mass
- mechanism
- 선결함
- Short Channel Effect
Archives
- Today
- Total
목록Latch-up (1)
반도체 공부 기록
[반도체 소자] 11. SOI MOSFET (1)
SOI(Silicon on insulator) MOSFET 소자 미세화에 따라서 발생하는 Gate 방향으로 Tunneling 이나 SHE(Short channel effect)에 대한 한계가 생깁니다. 이에 따라서 소자 미세화에 따른 새로운 패러다임이 등장하게 됩니다. 미세화에 따라서 소자의 performance를 유지하기 위해서 기판에 절연층(Insulator)를 삽입하는 SOI MOSFET, 3차원 형태의 Gate 구조를 가지는 FinFET(이후 GAAFET)이 개발되었습니다. 이번 포스팅에서는 SOI MOSFET에 대한 특성을 알아보도록 하겠습니다. SOI MOSFET은 Bulk Si MOSFET과 다르게 기판 영역에 두꺼운 산화막(BOX; buried oxide)가 존재합니다. SOI MOSFET..
반도체소자
2023. 7. 4. 16:19