Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ||||||
| 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
| 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
Tags
- MOSFET
- Energy Band
- DRAM
- 양자역학
- Warpage
- doping
- 부피결함
- oxidation
- 반도체공정
- RCAT
- Short Channel Effect
- feol
- finFET
- effective mass
- Silicon on Insulator
- Threshold Voltage
- She
- high bandwidth memory
- SOI MOSFET
- HBM
- 반도체공학
- 선결함
- SK하이닉스
- mechanism
- Punch through
- Dynamic Random Access Memory
- 반도체 8대공정
- ion implantation
- 반도체소자
- GIDL
Archives
- Today
- Total
목록Pre-charge (1)
반도체 공부 기록
[반도체소자] 17. DRAM (2)
DRAM(Dynamic Random Access Memory) DRAM은 1T1C 구조로 스위치 역할을 하는 Selected transistor가 존재합니다. Trasisnstor에서 Parastic leakage current 성분이 존재합니다. Parastric leakage current에 의해서 DRAM의 Cell capacitor에 저장되어 있는 Charge을 손실시켜 사용자가 저장한 정보(Data)를 잃어버립니다. 1. Subthreshold leakage current Subthreshold leakage current는 Threshold voltage보다 낮은 전압 조건에서 발생하는 Leakage 성분입니다. Subthreshold leakage current는 Threshold volta..
반도체소자
2023. 7. 21. 10:16