Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ||||||
| 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
| 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
Tags
- oxidation
- feol
- She
- 양자역학
- finFET
- Punch through
- Silicon on Insulator
- GIDL
- Energy Band
- 부피결함
- effective mass
- 반도체공정
- mechanism
- Dynamic Random Access Memory
- SK하이닉스
- 선결함
- RCAT
- ion implantation
- DRAM
- 반도체공학
- Short Channel Effect
- 반도체 8대공정
- SOI MOSFET
- high bandwidth memory
- Threshold Voltage
- Warpage
- doping
- HBM
- 반도체소자
- MOSFET
Archives
- Today
- Total
목록Strain technology (1)
반도체 공부 기록
[반도체소자] 13. Advanced MOSFET
Advanced MOSFET 소자 미세화에 따라 발생하는 SHE(Short channel effect)를 제어하기 위해서 SOI MOSFET과 같은 다양한 기술이 개발되었습니다. 이번 포스팅에서는 SHE를 효과적으로 제어하기 위한 다양한 기술에 대해서 알아보도록 하겠습니다. ♭ Ultra-thin body(UTB) Vgs = 0V, Vds = 0.7V 조건에서 Current density가 0 보다 큰 값을 가지는데, Vgs = 0V에서는 Channel이 형성되지 않았기 때문에 Currnet는 Leakage를 의미합니다. SOI MOSFET에서 Body의 두께(=실리콘 두께; Tsi)가 감소할수록 Body에서 Gate의 영향이 미치지 않은 영역이 감소하기 때문에 SHE가 감소됩니다. ♭ Double-Ga..
반도체소자
2023. 7. 5. 19:36