Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ||||||
| 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
| 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
Tags
- DRAM
- 양자역학
- 반도체공학
- Threshold Voltage
- high bandwidth memory
- ion implantation
- effective mass
- Energy Band
- Short Channel Effect
- Punch through
- Silicon on Insulator
- mechanism
- doping
- oxidation
- MOSFET
- Dynamic Random Access Memory
- HBM
- feol
- 반도체소자
- She
- 반도체공정
- 선결함
- 반도체 8대공정
- SK하이닉스
- RCAT
- finFET
- Warpage
- GIDL
- SOI MOSFET
- 부피결함
Archives
- Today
- Total
목록impact Ionization (1)
반도체 공부 기록
[반도체소자] 19. 1T DRAM (Capacitor-less DRAM)
1T DRAM(1T Dynamic Random Access Memory) 현재 상용화된 DRAM은 1T1C 구조로 1개의 Selected transistor와 1개의 Capacitor을 가지고 있습니다. DRAM 개발에 따라 소자의 크기가 작아지고 있습니다. 소자 미세화에 따라 DRAM의 Cell capacitance를 유지 또는 증가시키는데 어려움을 갖고 있습니다. 다양한 이슈를 가지고 있는 Capacitor를 제거한 1T DRAM (Capacitor-less DRAM)도 연구가 되고 있습니다. ♭ Data 저장 장소, 저장하는 물리량 1T DRAM은 전하를 저장하는 Capacitor가 없는 구조로 전하를 저장하기 위하여 SOI MOSFET을 이용합니다. → Charge를 Body에 저장하여 Body의..
반도체소자
2023. 7. 24. 11:20