Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ||||||
| 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
| 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
Tags
- HBM
- 반도체소자
- Punch through
- ion implantation
- GIDL
- 선결함
- She
- Energy Band
- Warpage
- 반도체공정
- mechanism
- DRAM
- oxidation
- 반도체 8대공정
- Short Channel Effect
- SOI MOSFET
- Silicon on Insulator
- 반도체공학
- 부피결함
- MOSFET
- SK하이닉스
- Dynamic Random Access Memory
- high bandwidth memory
- effective mass
- RCAT
- finFET
- 양자역학
- feol
- doping
- Threshold Voltage
Archives
- Today
- Total
목록마이크론 (1)
반도체 공부 기록
[반도체 이슈 알아보기] HBM (2) - Bonding
HBM 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 HBM의 성능과 직결되는 DRAM의 적층 단수를 높이려고 하고 있습니다. HBM은 2세대(HBM~HBM2)까지 4개 층의 DRAM을, 3세대(HBM2E)에서 8개층을, 4세대(HBM3)부터 12개 층을 적층해왔으며 HBM 개발에 따라 16, 20, 24…단으로 점차 늘어날 것입니다. 적층되는 DRAM 단수가 높아질수록 중요해지는 것은 DRAM die 사이를 연결하는 Bonding 기술이다. 이번 포스팅에서는 HBM 주요 생산 기업들에서 채택하고 있는 Bonding 기술에 대해 알아보도록 하겠습니다. 1. TC-NCF → 삼성전자, 마이크론 채택 방식 TC-NCF는 다리미처럼 열과 압력을 가해 DRAM die를 한장씩 붙이는 방식입니다. TC-NCF는 Thermo..
반도체지식
2024. 8. 20. 10:24