목록산화막 성장속도 (1)

반도체 공부 기록

[반도체공정(FEOL)] Oxidation #01 - Deal Grove model

Oxidation반도체 소자에서 다양한 역할을 맡고 있는 SiO2에 대해서 알아보도록 하겠습니다. ♭ SiO2SiO2는 실리콘(Si)을 중심으로 사면체(Tetrahedron) 꼭짓점에 산소(O)가 인접하고 있는 3차원 망상 구조를 가지고 있다. 우수한 절연 특성(비저항: 1020 Ω cm 이상, Eg: 8~9eV, Breakdown: 10MV/cm 이상)을 가지고 있어 반도체 소자에서 절연막(Isolation)에 사용된다. 또, 반도체 소자에 주로 사용되는 실리콘 웨이퍼에서 산소 소스만 공급하면 안정한 SiO2를 형성할 수 있어(Si-SiO2 계면 특성 우수) MOSFET의 Gate oxide로도 활용한다. (유전율: 약 3.9) 그 밖에도 반도체 기판에 국부적으로 도핑하기 위해 원하지 않은 부위에 Do..
반도체 전공정(FEOL) 2024. 5. 29. 20:01
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