반도체 공부 기록

HBMHBM 발전에 따라 DRAM의 적층 수는 증가하고, DRAM die 사이의 간격을 줄어들고 있습니다. 이에 따라 기존 공정 방법에서는 다양한 문제들이 생기고 있습니다.#01. Advanced MR-MUFSK하이닉스가 채택하고 있는 HBM의 Bonding 방식은 DRAM 적층 수가 증가함에 따라 “휨(Warpage)” 문제가 발생합니다. (모든 DRAM die를 가접합 시킨 후 Reflow 공정을 통해 한 번에 접합시킬 때, 열팽창계수 차이에 의해 휨 문제가 발생합니다.)SK하이닉스는 휨(Warpage) 문제를 해결하기 위해 독자적으로 Advanced MR-MUF 공정을 개발하여 HBM 생산을 진행하고 있습니다. Advanced MR-MUF는 기존 공정에서 발생하는 휨(Warpage)를 개선하기 위해..

HBM 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 HBM의 성능과 직결되는 DRAM의 적층 단수를 높이려고 하고 있습니다. HBM은 2세대(HBM~HBM2)까지 4개 층의 DRAM을, 3세대(HBM2E)에서 8개층을, 4세대(HBM3)부터 12개 층을 적층해왔으며 HBM 개발에 따라 16, 20, 24…단으로 점차 늘어날 것입니다. 적층되는 DRAM 단수가 높아질수록 중요해지는 것은 DRAM die 사이를 연결하는 Bonding 기술이다. 이번 포스팅에서는 HBM 주요 생산 기업들에서 채택하고 있는 Bonding 기술에 대해 알아보도록 하겠습니다. 1. TC-NCF → 삼성전자, 마이크론 채택 방식 TC-NCF는 다리미처럼 열과 압력을 가해 DRAM die를 한장씩 붙이는 방식입니다. TC-NCF는 Thermo..