| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ||||||
| 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
| 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
- 반도체공학
- 양자역학
- effective mass
- Punch through
- MOSFET
- Silicon on Insulator
- 반도체 8대공정
- doping
- 반도체소자
- Warpage
- SK하이닉스
- Dynamic Random Access Memory
- mechanism
- Threshold Voltage
- DRAM
- RCAT
- HBM
- oxidation
- 부피결함
- 선결함
- She
- ion implantation
- 반도체공정
- feol
- SOI MOSFET
- GIDL
- high bandwidth memory
- Energy Band
- finFET
- Short Channel Effect
- Today
- Total
목록점결함 (2)
반도체 공부 기록
[재료공학] 결함(Defect)
결함(Defect)원자 단위(Atomic scale)에서 완벽한 배열(Perfect order)를 갖는 물질(단결정; Single crystal)은 존재하지만, 고체(Solid) 전체에서 단 하나의 결함없이 완벽한 배열을 갖는 것은 불가능하다. 절대온도 0K 이상에서는 모든 원자들은 운동(진동) 에너지를 갖기 때문에 고체 결정 내부에서 모든 원자가 제자리에 (확률적으로) 존재할 수 없다. ♭ Zero-dimensional defect(Point defect)1) Vacancy (공공) Vacancy(공공)은 모든 고체 재료 내부에 존재하는 결함으로 고체 결정 격자 내부에서 원자가 존재해야할 자리에 원자가 없이 빈 자리(Vacant site)를 의미한다. Vacancy가 모든 고체에 존재하는 결함인데 열역..
[반도체공학] 02. The crystal structure of solids (2)
The crystal structure of solids ♭ 격자 결함(Defect) 1) 점결함(Point defect) 고체 재료 내부의 점 단위 결함 -공공(Vacancy) 고체 결정 구조 내의 원자가 위치해야 하는 자리에 원자가 존재하지 않아 빈자리(Vacancy)를 만드는 결함: 절대 온도 0K 이상에서 모든 재료 내부에 존재(열역학적으로 공공이 존재하는 것이 안정한 상태) → 압축 응력(Compressive stress) = 격자 수축(Lattice shinkage) -침입형 불순물(Interstitial impurity) 고체 결정 구조 사이의 침입형 자리(Interstitial sitr)에 원자가 차지하는 결함 → 인장 응력(Tensile stress) = 격자 팽창(Lattice expa..