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목록Drain induced barrier lowering (1)
반도체 공부 기록
[반도체소자] 5. Drain Induced Barrier Lowering(DIBL)
Drain Induced Barrier Lowering(DIBL) Drain Induced Barrier Lowering(DIBL)은 Short Channel Effect(SCE) 중 예시로 MOSFET performance를 평가하는 대표적인 지표입니다. DIBL은 VDS에 의해 Drain 영역의 Depletion layer의 두께가 증가하여 Gate와 Drain 사이의 장벽(Barrier)이 낮아지는 현상을 말합니다. ♭ Long channel MOSFET Potential barrier 분포를 보면 Long channel의 경우 VDS에 의한 Depletion layer가 channel(수평 방향)으로 침투가 적어 Potential barrier의 저하가 없습니다. ♭ Short channel MO..
반도체소자
2023. 6. 22. 22:18