Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | ||||||
2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
Tags
- Warpage
- 선결함
- HBM
- oxidation
- feol
- Energy Band
- SOI MOSFET
- RCAT
- She
- Threshold Voltage
- Dynamic Random Access Memory
- ion implantation
- 반도체공정
- Punch through
- mechanism
- MOSFET
- 양자역학
- 반도체소자
- finFET
- 반도체공학
- 부피결함
- 면접준비
- effective mass
- DRAM
- GIDL
- SK하이닉스
- high bandwidth memory
- Short Channel Effect
- 반도체 8대공정
- Silicon on Insulator
Archives
- Today
- Total
목록HCI (1)
반도체 공부 기록
![](http://i1.daumcdn.net/thumb/C150x150/?fname=https://blog.kakaocdn.net/dn/tDhQ1/btslmVpNEf9/9CaBzt7mVuysFy4G839TW0/img.png)
Hot Carrier Injection(HCI) Hot Carrier Injcection(HCI)는 GIDL과는 다르게 Drain depletion 영역의 강한 전기장에 의해 Leak current(Gate cuurent)가 발생하는 Short Channel Effect(SHE)입니다. (HCI는 Long channel MOSFET에서도 발생합니다.) Drain delpletion 영역의 강한 전기장(Saturation 영역: VDS > VGS - VTH)에 의해 전자가 가속하여 Impact Ionization 의해 EHP(Electron-Hole Pair)가 형성합니다. Electron은 VGS와 VDS에 Gate와 Drain cuurent(Leakage current)를 형성하고, Hole은 Body..
반도체소자
2023. 6. 25. 16:07