| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ||||||
| 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
| 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
- SOI MOSFET
- high bandwidth memory
- oxidation
- 반도체소자
- Short Channel Effect
- mechanism
- ion implantation
- 선결함
- She
- Energy Band
- Punch through
- finFET
- DRAM
- doping
- effective mass
- Dynamic Random Access Memory
- Threshold Voltage
- feol
- RCAT
- SK하이닉스
- 반도체 8대공정
- Silicon on Insulator
- MOSFET
- GIDL
- 부피결함
- Warpage
- 반도체공학
- 양자역학
- 반도체공정
- HBM
- Today
- Total
목록NAND (2)
반도체 공부 기록
[반도체소자] 22. NAND (2)
NANDFlash memory 성능은 같은 면적 대비 큰 용량을 저장할 수 있을 수록 좋습니다. NOR Flash 특징 1. 바이트나 워드 단위로 읽기/쓰기가 가능하고 덮어쓰기와 지우기는 임의로 접근할 수 없다. 2. 읽기 속도는 Access 속도가 빠르나, 쓰기/지우기 속도는 느리다. NAND Flash 특징 1. 페이지 단위로 읽기/쓰기가 가능하고 해당 페이지를 지우거나 덮어쓰기를 하려면 모든 블럭을 지워야 한다. 2. 크기가 작고 단가가 저렴하고, 대용량 저장이 가능하다. 3. NOR Flash와 반대로 데이터를 읽을 때 Access 속도가 느리지만, 쓰기/지우기 속도는 빠르다. ♭ Multi-cell NAND SLS(Single Level Cell) MUL(Multi Level Cell) 메모리 ..
[반도체소자] 21. NAND (1)
NANDNAND는 2개의 Gate 중 Control gate의 전압을 통해 Floating gate의 전하량을 조절하여 Threshold voltage의 차이로 데이터를 구분하는 비휘발성 메모리이다. DRAM과 다르게 Charge의 유무에 의해 데이터를 읽는 것이 아니기 때문에 외부의 전원이 사라져도 정보가 저장된다. (Floating gate 또는 Charge trap layer의 전하 유무에 따른 Threshold voltage 변화를 통해 데이터를 구분한다.) ♭ Data 저장 장소, 저장하는 물리량 Floating gate에 전하(전자)의 존재 여부에 따라 Threshold voltage 변화로 Data(0/1)을 구분합니다. ♭ Write 방식 (Single cell 기준) Control gat..