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반도체 공부 기록
[반도체소자] 22. NAND (2)
NANDFlash memory 성능은 같은 면적 대비 큰 용량을 저장할 수 있을 수록 좋습니다. NOR Flash 특징 1. 바이트나 워드 단위로 읽기/쓰기가 가능하고 덮어쓰기와 지우기는 임의로 접근할 수 없다. 2. 읽기 속도는 Access 속도가 빠르나, 쓰기/지우기 속도는 느리다. NAND Flash 특징 1. 페이지 단위로 읽기/쓰기가 가능하고 해당 페이지를 지우거나 덮어쓰기를 하려면 모든 블럭을 지워야 한다. 2. 크기가 작고 단가가 저렴하고, 대용량 저장이 가능하다. 3. NOR Flash와 반대로 데이터를 읽을 때 Access 속도가 느리지만, 쓰기/지우기 속도는 빠르다. ♭ Multi-cell NAND SLS(Single Level Cell) MUL(Multi Level Cell) 메모리 ..
반도체소자
2024. 1. 25. 23:09