Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ||||||
| 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
| 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
Tags
- GIDL
- Short Channel Effect
- Dynamic Random Access Memory
- Energy Band
- Punch through
- DRAM
- RCAT
- HBM
- mechanism
- She
- 양자역학
- 반도체소자
- oxidation
- Silicon on Insulator
- SK하이닉스
- high bandwidth memory
- 반도체공학
- 반도체 8대공정
- effective mass
- ion implantation
- 선결함
- feol
- SOI MOSFET
- 반도체공정
- Warpage
- MOSFET
- finFET
- 부피결함
- Threshold Voltage
- 면접준비
Archives
- Today
- Total
목록core dram die (1)
반도체 공부 기록
[반도체 이슈 알아보기] HBM (1) - HBM 개요
HBM(High Bandwidth Memory) 지난 2022년부터 ChapGPT를 비롯하여 다양한 AI 모델들이 출시되고 있습니다. AI 모델은 대용량 데이터의 연산을 담당하는 CPU/GPU와 같은 처리 장치와 CPU/GPU와 연결되어 빠른 데이터 전송을 담당하는 메모리가 필요합니다. HBM은 기존 메모리에 비해 데이터 입출력 단자 수도 많고, 메모리 사이의 간격도 좁아 데이터 전송에 유리하여 AI 모델 개발에 필수적인 요소 중 하나입니다. - HBM (High Bandwidth Memory) 이란? HBM은 High Bandwidth Memory의 약자로 넓은 대역폭을 갖는 메모리를 의미합니다. HBM은 여러 개의 DRAM을 수직으로 적층한 형태로 메모리 사이의 간격이 짧아지고 단위 면적당 용량이 크..
반도체지식
2024. 8. 19. 23:53