Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ||||||
| 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
| 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
Tags
- 반도체소자
- MOSFET
- SOI MOSFET
- RCAT
- DRAM
- 양자역학
- ion implantation
- high bandwidth memory
- finFET
- Warpage
- Short Channel Effect
- Threshold Voltage
- mechanism
- SK하이닉스
- 반도체공학
- oxidation
- 선결함
- doping
- 반도체공정
- 부피결함
- HBM
- Dynamic Random Access Memory
- feol
- Punch through
- Energy Band
- 반도체 8대공정
- effective mass
- GIDL
- Silicon on Insulator
- She
Archives
- Today
- Total
목록ldd (1)
반도체 공부 기록
[반도체소자] 7. Gate Induced Drain Leakage(GIDL)
Gate Induced Drain Leakage(GIDL) Gate Induced Drain Leakage(GIDL)은 Gate의 강한 전기장에 의해 Drain 방향으로 누설전류가 발생하는 Short Channel Effect(SHE)입니다. GIDL은 Gate와 Drain 사이의 Overlap region이 생기고 Gate에 의해 강한 전기장(조건: VGS0)에 의해 Drain 방향의 Leakage current를 생성하고 Hole은 Body로 이동하여 Body current를 생성합니다. ♭ 조건: VGS < VDS VGS < VDS의 조건을 가지는 이유는 Gate에 상대적으로 (-) 전압이 인가되어야 Drain energy band가 위쪽 방향으로 Bending이 발생하여 Bana to band t..
반도체소자
2023. 6. 23. 15:19