Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ||||||
| 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
| 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
Tags
- Silicon on Insulator
- SK하이닉스
- She
- GIDL
- DRAM
- HBM
- MOSFET
- 선결함
- 반도체공학
- high bandwidth memory
- Threshold Voltage
- SOI MOSFET
- ion implantation
- Short Channel Effect
- Energy Band
- 반도체 8대공정
- mechanism
- 면접준비
- Dynamic Random Access Memory
- Punch through
- oxidation
- 부피결함
- 반도체소자
- feol
- effective mass
- 양자역학
- 반도체공정
- RCAT
- finFET
- Warpage
Archives
- Today
- Total
목록도핑 (1)
반도체 공부 기록
[반도체공정(FEOL)] Doping #01 - Diffusion
Doping반도체는 불순물 여부에 따라 진성 반도체(Intrinsic semiconductor)와 외인성(Extrinsic semiconductor)로 구분할 수 있다. 이론적으로, 진성 반도체는 결정 내부의 불순물이 존재하지 않은 것을 의미하는데 실제로는(In real) 반도체 내부에 불순물을 완벽하게(Perfectly) 제거하는 것은 불가능하다. 하지만 일반적인 반도체 소자는 불순물을 주입하여 제작하는데, 이번 포스팅부터 불순물을 주입하는 방법에 대해서 알아보도록 하겠습니다. (반도체는 불순물을 주입하여 전기적 특성(전기전도도, Fermi level)을 조절할 수 있기 때문에 일반적으로 외인성 반도체를 사용하여 Device를 제작한다.) Q. Dopant과 Impurity의 차이? A. Doping과..
반도체 전공정(FEOL)
2024. 6. 9. 18:29