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반도체 공부 기록
[반도체 이슈 알아보기] HBM (3) - Advanced bonding
HBMHBM 발전에 따라 DRAM의 적층 수는 증가하고, DRAM die 사이의 간격을 줄어들고 있습니다. 이에 따라 기존 공정 방법에서는 다양한 문제들이 생기고 있습니다.#01. Advanced MR-MUFSK하이닉스가 채택하고 있는 HBM의 Bonding 방식은 DRAM 적층 수가 증가함에 따라 “휨(Warpage)” 문제가 발생합니다. (모든 DRAM die를 가접합 시킨 후 Reflow 공정을 통해 한 번에 접합시킬 때, 열팽창계수 차이에 의해 휨 문제가 발생합니다.)SK하이닉스는 휨(Warpage) 문제를 해결하기 위해 독자적으로 Advanced MR-MUF 공정을 개발하여 HBM 생산을 진행하고 있습니다. Advanced MR-MUF는 기존 공정에서 발생하는 휨(Warpage)를 개선하기 위해..
반도체지식
2024. 8. 21. 10:59